магнитный решетка

XuMuK.ru - ТВЕРДОЕ ТЕЛО Здесь скоро что-то будет :) А, пока приглашаем на форум о химии! Сайт ФорумХемопоискУчебаПромышленностьИнтернет Например: серная кислота Разная химия Неорганическая Органическая Коллоидная Биологическая Наглядная биохимия Токсикологическая Экологическая База знаний Химическая энциклопедия Справочник по веществам Таблица Д.И. Менделеева Гетероциклические соед. Теплотехника Углеводы Квантохимические р-ты Мат. моделирование ХТС Обмен знаниями Форум Химия в жизни Каталог предприятий Дополнительно Лекарственные средства Фармацевтический справ. Биохимический справ. Стандартизация размещение рекламы Алф. указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я ТВЕРДОЕ ТЕЛО ТВЕРДОЕ ТЕЛО, агрегатное состояние в-ва, отличит. признаками к-рого при нормальных условиях являются устойчивость формы магнитный решетка характер теплового движения структурных единиц Т. т. (атомов, ионов, молекул), совершающих малые колебания относительно нек-рых фиксир. положений равновесия. Св-ва Т. т. определяются их хим. составом магнитный решетка зависят от характера межатомных связей, типа кристаллич. структуры магнитный решетка степени структурного совершенства, магнитный решетка также от фазового состава. В зависимости от кол-ва образующих их элементов Т. т. можно подразделить на простые (однокомпонентные) магнитный решетка сложные (многокомпонентные), к-рые, в свою очередь, могут представлять собой хим. соединения (неорг. или орг.) либо твердые растворы разл. типа (замещения, внедрения). Межатомные связи в Т. т. осуществляются в результате взаимод. атомов (ионов) магнитный решетка валентных электронов, связь между атомами м. б. ионной, ковалентной, металлич. (см. Химическая связь), магнитный решетка также ван-дер-ваальсовой, водородной. Для многих Т. т. характерен смешанный тип хим. связи. Т. т. бывают кристаллич. и аморфные. Кристаллическое состояние характеризуется наличием дальнего порядка в расположении частиц, симметрией кристаллич. решетки (св-вом отдельных узлов решетки совмещаться при транс-ляц. перемещении). Совокупность отдельных узлов решетки образует т. наз. решетку Браве (см. Кристаллы, Кристаллическая структура). Кристаллические Т. т. могут быть в виде монокристаллов или поликристаллов. В большинстве областей техники используют поликристаллические Т. т., монокристаллы находят применение в электронике, произ-ве оптич. приборов, ювелирных изделий магнитный решетка т. д. Структурно-чувствит. св-ва Т. т., связанные с перемещением частиц магнитный решетка квазичастиц, магнитный решетка также магнитных магнитный решетка электрич. доменов магнитный решетка др. существенно зависят от типа магнитный решетка концентрации дефектов кристаллич. решетки. Равновесные собств. точечные дефекты (напр., вакансии, межузельные атомы) термодинамически обусловлены магнитный решетка играют важную роль в процессах диффузии и самодиффузии в Т. т. Это используется в процессах гомогенизации, рекристаллизации, легирования магнитный решетка др. Ряд практически важных св-в Т. т. зависит от др. видов структурных дефектов, имеющихся в кристаллах,-дислокаций, малоугловых магнитный решетка межзеренных границ, включений магнитный решетка т.д. Для аморфного состояния Т. т. характерно наличие только ближнего порядка; оно термодинамически неустойчиво, однако при обычных т-рах переход в кристаллич. состояние обычно не реализуется и может осуществляться лишь при нагреве. Аморфные Т. т., в отличие от большинства кристаллических, изотропны. По фазовому составу Т. т. разделяются на однофазные магнитный решетка многофазные. Форма магнитный решетка распределение фазовых составляющих могут оказывать сильное влияние на разл. св-ва многофазных Т. т. К наиб. важным в практич. отношении св-вам Т. т. относят мех., электрич., тепловые, магнитные, оптические. Механические свойства Т. т.-упругость, пластичность (см. Реология), твердость, хрупкость, прочность-характеризуют их способность сопротивляться деформации магнитный решетка разрушению при воздействии внеш. напряжений. Для большинства Т. т. (за исключением нек-рых полимерных материалов типа каучука) упругая деформация линейно зависит от величины приложенных напряжений (Гука закон). В монокристаллах и текстурир. поликристаллах упругая деформация анизотропна. Т. т. с металлич. типом хим. связи обычно более пластичны в сравнении с Т. т., имеющими ионный тип связи, магнитный решетка в большинстве случаев при больших напряжениях испытывают вязкое разрушение (тогда как вторые - обычно хрупкое). Пластичность Т. т. возрастает с повышением т-ры. Электрич. св-ва Т. т., как магнитный решетка многие др. физ. св-ва, объясняются на основе квантовомех. представлений, приведших к разработке зонной теории. Эта теория описывает энергетич. спектр электронов, движущихся в периодич. поле кристаллич. решетки. В результате сближения изолир. атомов при образовании Т. т. их электронные оболочки перекрываются магнитный решетка дискретные энергетич. уровни электронов атома расщепляются на ряд близко расположенных уровней с квазинепрерывным энергетич. спектром, образуя таким образом зоны разрешенных энергий, или разрешенные зоны. Эти зоны м.б. разделены зонами запрещенных энергий (запрещенные зоны), но могут магнитный решетка перекрываться, если в изолир. атомах расстояния между соответствующими уровнями малы. Ширина разрешенной зоны тем больше, чем больше расщепление уровня, т.е. чем слабее электрон связан с ядром. Количеств. оценку энергетич. спектра электронов в кристалле получают на основе приближенного решения ур-ния Шрёдингера. Если принять, что перекрывание волновых ф-ций электронов происходит лишь для соседних атомов кристалла, для одномерного случая зависимость энергии электрона Еэ от волнового вектора электрона к описывается выражением вида: Еэ = ђ2к2/2т, где ђ-постоянная Планка, m-масса электрона, к = 2p/l, l-длина волны электрона. Для трехмерного случая пользуются проекциями волнового вектора на оси координат: кх,ку,кz. Границы разрешенных энергетич. зон определяют исходя из представлений о дифракции электронов, движущихся в поле периодич. потенциала кристаллич. решетки. Условие отражения электронов от кристаллич. плоскостей описывается ур-нием Вульфа-Брэгга: nl = 2a sinq, где n = 1,2,3,..., a-период кристаллич. решетки, q-угол падения электрона на плоскость. Области значений к, в пределах к-рых энергия электронов изменяется непрерывно, магнитный решетка на границах претерпевает разрыв, наз. зонами Бриллюэна. Они определяют границы между разрешенными и запрещенными зонами энергий магнитный решетка лежат в пределах к = b np/a. Заполнение разрешенных зон электронами в Т. т. происходит последовательно в порядке возрастания энергетич. уровней в зонах. Согласно принципу Паули для Т. т., содержащего N атомов, в каждой энергетич. зоне могут находиться 2N электронов. Вероятность заполнения уровня с энергией E определяется соотношением Ферми-Дирака: f = 1/{1 + ехр[(E — EF)/kT]}, где k-константа Больцмана, EF-уровень Ферми-энергетич. уровень, вероятность заполнения к-рого при Т . 0 К равна 0,5 (м. б. интерпретирован как хим. потенциал электрона). Изоэнергетич. пов-сть, соответствующая ЕF, наз. Ферми-пов-стью. В зависимости от числа валентных электронов верхняя из заполненных зон (в а-лентная зона) м.б. занята полностью или частично. Степень заполнения валентной зоны электронами играет важную роль в формировании электрич. св-в Т.т., т.к. электроны полностью заполненной зоны не переносят ток. Зонная теория справедлива для кристаллических Т. т. В случае аморфных Т. т. вследствие разупорядоченности их структуры разработка строгой теоретич. зонной модели сталкивается со значит. трудностями. Обычно оперируют понятием квазизапрещенных зон, разделяющих разрешенные зоны, края к-рых вследствие возмущений, вызванных структурной разупорядоченностью, в сравнении с кристаллическим Т. т. несколько сдвигаются магнитный решетка размываются. Электрич. проводимость s T. т. определяется в первую очередь характером заполнения электронами энергетич. зон (см. рис.). Т. т. с металлич. типом хим. связи (металлы) характеризуются высокой степенью обобществления валентных электронов (электронов проводимости), перекрыванием разрешенных энергетич. зон магнитный решетка частичным заполнением разрешенных зон электронами. Такие Т. т. являются хорошими проводниками. В отличие от них полупроводники магнитный решетка диэлектрики при Т=0 К имеют полностью заполненные либо пустые, неперекрывающиеся, разрешенные зоны. Для диэлектриков характерны большие значения ширины запрещенной зоны DE между валентной (заполненной) магнитный решетка незаполненной зоной (зоной проводимости), вследствие чего в обычных условиях они практически не содержат своб. электронов магнитный решетка не проводят электрич. ток. Полупроводники, принципиально не отличаясь от диэлектриков по зонному строению, имеют меньшую ширину запрещенной зоны (условной границей между ними принято считать значение DE = 3 эВ). Вследствие теплового возбуждения при обычных т-рах часть валентных электронов переходит в зону проводимости (электроны проводимости), поэтому полупроводники, как правило, имеют промежуточную между металлами магнитный решетка диэлектриками s (10-8s104 См·см-1). Известны т. наз. бесщелевые полупроводники с DE = 0. Т. т. с аномально малым перекрытием разрешенных зон (напр., Sb, Bi) относят к полуметаллам. Схема заполнения зон в диэлектриках магнитный решетка полупроводниках (а), металлах (б)и полуметаллах (в). В общем случае величина s T. т. зависит от механизма рассеяния носителей заряда, к-рое может происходить на тепловых колебаниях атомов (ионов), нейтральных магнитный решетка заряженных собств. магнитный решетка примесных точечных дефектах, линейных, поверхностных магнитный решетка объемных дефектах кристаллич. решетки. В случае металлов s имеет электронную природу магнитный решетка подчиняется закону Ома. Для металлов характерно уменьшение s с т-рой. В отличие от металлов у полупроводников с повышением т-ры s увеличивается вследствие значит. возрастания концентрации своб. носителей заряда. В диэлектриках осн. носители заряда-ионы, вследствие чего s сопровождается переносом в-ва. Электронная проводимость диэлектриков возникает лишь при высоких электрич. напряжениях, близких к пороговым магнитный решетка соответствующих пробою. Как магнитный решетка в полупроводниках, s возрастает с повышением т-ры. При низких т-рах вблизи 0 К мн. металлы (и неметаллы) переходят в сверхпроводящее состояние (см. Сверхпроводники), к-рое проявляется в полной потере электрич. сопротивления, магнитный решетка также в аномальных магн. св-вах. Такой переход связан с электрон-фононным взаимодействием. Для Т. т. s может изменяться магнитный решетка под действием др. внеш. воздействий (напр., давления, облучений). В наиб. степени к этим воздействиям чувствительны полупроводники, благодаря чему их используют для изготовления разл. датчиков. Важная характеристика диэлектриков-диэлектрич. проницаемость e, характеризующая ослабление силы электро-статич. взаимодействия зарядов в диэлектрике в сравнении с вакуумом. Она связана с поляризацией Т. т. при приложении внеш. электрич. поля. Для нек-рых диэлектриков характерно возникновение спонтанной поляризации (см. Сегнето-электрики). Возможно также возникновение поляризации под действием упругой деформации, вызывающее пьезоэф-фект, противоположное явление - обратный пьезоэффект (см. Пьезоэлектрики). Указанные эффекты лежат в основе практич. использования соответствующих диэлектриков в пьезотехнике, акустоэлектронике. Тепловые св-ва Т. т. (см. Теплообмен) находят объяснение на основе динамич. теории кристаллич. решеток, в соответствии с к-рой решетка представляет совокупность связанных квантовых осцилляторов разл. частоты. Квант колебат. энергии представляется в виде фонона-квазичастицы, соответствующей волне смещения атомов (ионов) магнитный решетка молекул кристалла из положений равновесия. Энергия фонона Eф = ђv, его импульс p = ђq, где v-частота колебаний, q-волновой вектор акустич. волны, соответствующей данному фонону. Среднее число фононов с энергией Еф изменяется с т-рой в соответствии со статистикой Бозе-Эйнштейна:Из энергий фононов складывается общая тепловая энергия Т. т. (за исключением энергии, к-рой оно может обладать при О К). Фононы взаимод. между собой, с др. частицами и квазичастицами, магнитный решетка также с дефектами кристаллич. решетки Т. т. Вследствие этого они часто играют роль внутр. термостата, поглощая избыточную энергию возбужденных частиц магнитный решетка квазичастиц в процессах релаксации. Макроскопич. св-ва Т. т. описываются на основе представлений о газе фононов. Для аморфных Т. т. понятие фонона удается ввести только для низкочастотных акустич. колебаний, слабочувствительных к ближнему порядку в расположении структурных единиц Т. т. Теплоемкость Т. т. при высоких т-рах определяется законами классич. статистич. механики, при низких-квантовой механики. Условной границей, разделяющей сферу действия этих законов, является т-ра Дебая qD. Величина qD индивидуальна для каждого в-ва (для большинства Т. т. qD = = 102-103 К). Тепловое расширение Т. т. связано с энгармонизмом тепловых колебаний атомов. Коэф. теплового расширения a тем меньше, чем прочнее межатомные связи в Т. т. В кристаллических Т. т. с несимметричной структурой коэф. a анизотропен. Теплопроводность к Т. т. в общем случае складывается в осн. из электронной магнитный решетка фононной составляющих. Вклад каждой из них зависит от природы Т. т. В металлах осн. роль в переносе тепла при обычных т-рах играют электроны проводимости. В диэлектриках тепловая энергия передается преим. фононами магнитный решетка к пропорциональна теплоемкости в-ва, средней скорости магнитный решетка средней длине своб. пробега фононов. В полупроводниках преобладание того или иного механизма теплопроводности определяется наличием, типом магнитный решетка концентрацией примесей и, как магнитный решетка в др. Т. т., к зависит от состояния кристаллич. решетки (аморфное, моно- или поли-кристаллич.) магнитный решетка наличия структурных дефектов. Магн. св-ва Т. т. (см. Магнетохимия, Магнитная восприимчивость, Магнитные материалы) определяются наличием или отсутствием у частиц, образующих Т. т., магн. моментов. Осн. роль в формировании магн. св-в Т. т. играют электроны благодаря наличию у них спиновых магн. моментов (т. наз. магнетон Бора). Дополнит. небольшой вклад в образование магн. моментов м. б. связан со спином нуклонов магнитный решетка орбитальным движением электронов. По магн. св-вам Т. т. разделяются на парамагнетики, диамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики магнитный решетка фёрримагнетики. Оптич. св-ва Т. т. (см. Оптические материалы) определяются характером взаимод. электромагн. поля с в-вом. Поглощение излучения обусловлено переходом частиц, образующих Т. т., в возбужденное состояние. С обратным переходом частиц из возбужденного состояния в невозбужденное связана люминесценция. Коэф. поглощения зависит от длины волны излучения магнитный решетка природы Т. т. Для металлов, имеющих высокую концентрацию своб. электронов, свойственны высокие коэф. отражения излучения в широком спектральном диапазоне. Это связано с тем, что б. ч. энергии, приобретенной своб. электронами поверхностного слоя металла, расходуется на генерацию вторичных волн, сложение к-рых образует отраженную волну. Вследствие того что электроны проводимости в металлах могут поглощать сколь угодно малые кванты электромагн. энергии, при взаимод. внеш. электромагн. поля с электронами в тонком поверхностном слое металла индуцируются токи (скин-эффект). Они играют экранирующую роль магнитный решетка приводят к резкому (экспоненциальному) затуханию волны внутри металла. В полупроводниках магнитный решетка диэлектриках в зависимости от длины волны падающего злектромагн. излучения поглощение связано с одним из след. осн. механизмов: 1) собств. (фундаментальное) поглощение, вызванное возбуждением электронов из валентной зоны в зону проводимости; 2) экситонное поглощение, обусловленное образованием возбужденного состояния-связанной пары электрон -дырка; 3) поглощение своб. носителями заряда; 4) поглощение на дефектах кристаллич. решетки. Для кристаллического Т. т. (за исключением кристаллов кубич. сингонии) характерна анизотропия оптич. св-в, вызывающая такие явления, как поляризация света, двойное лучепреломление. Процессы взаимодействия Т. т. с электромагн. излучением лежат в основе использования их для изготовления элементов оптич. приборов магнитный решетка систем, источников магнитный решетка приемников излучения магнитный решетка др. Лит.: Ван Fлек Л., Теоретическое магнитный решетка прикладное материаловедение, пер. с англ., М-, 1975; Постников В. С., Физика магнитный решетка химия твердого состояния, М., 1978; Горелик С. С, Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников магнитный решетка диэлектриков, М., 1988. Р. X. Акчурин. Алф. указатель: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я Зарегистрироваться на форуме о химии Кнопка ХиМиК.ру: XuMuK.ru — сайт о химии. При использовании материалов сайта не забывайте ставить гиперссылку. Прислать новый материал редактору / разместить рекламу / сообщить об ошибке.карта сайта 2 разделы полиолефиновая пленка выборочный уф-лак ubiquam светящийся краска концепция совершенствование сбыта позитивный психология li-da мрт коленный сустав dhl асбест купить мобильник asus p505 сканер штрихкодов сушильный машина asko электропечь dimplex model lee rc прибор крыса эрозия шейка матка магнитный решетка